微电子器件期末复习题(含答案)

微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学院——陈卉题目王嘉达答案答案为个人整理，如有错误请答案为个人整理，如有错误请仔细仔细甄别！厚德博学求是创新所有解答为个人整理所有解答为个人整理，如有错误请仔细甄别如有错误请仔细甄别！级期末复习期末复习题库题库典例典例解答解答电子科技大学命题陈卉转载王嘉达整理【习题压得准习题压得准五杀跑不了五杀跑不了】微电子器件（陈星弼第三版）电子工业出版社◎前言前言◎根据统计根据统计，课堂测验课堂测验、课后作业中的题目提纲中无相似题型课后作业中的题目提纲中无相似题型，请复习提纲的同请复习提纲的同时在做一次作业以及课堂测验时在做一次作业以及课堂测验。作业答案作业答案、课堂课堂作业答案平时随课堂进度上传群共作业答案平时随课堂进度上传群共享，请自行查阅请自行查阅。本答案为个人整理本答案为个人整理，如有不妥之处望批评指正如有不妥之处望批评指正。计算题部分计算题部分，实在无能为力在无能为力，后期会继续上传计算题集锦后期会继续上传计算题集锦，敬请期待敬请期待。另，由于本人微电子班，无光源班群，请有心人士转载至光源班群，共同通过另，由于本人微电子班，无光源班群，请有心人士转载至光源班群，共同通过期末考试！期末考试！微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学院——陈卉题目王嘉达答案答案为个人整理，如有错误请答案为个人整理，如有错误请仔细仔细甄别！厚德博学求是创新、当对、当对结外加正向电压时，由结外加正向电压时，由区注入区注入区的非平衡电子一边向前扩散，一边（区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。）。、结扩散电流的表达式为（结扩散电流的表达式为（])[(）。这个表达式在正向电）。这个表达式在正向电压下可简化为（压下可简化为（)(），在反向电压下可），在反向电压下可简化为（简化为（）。）。、在、在结的正向电流中，当电压较低时，以（结的正向电流中，当电压较低时，以（势垒区复合势垒区复合）电流为主；当电压较高）电流为主；当电压较高时，以（时，以（扩散扩散）电流为主。）电流为主。、薄基区二极管是指、薄基区二极管是指结的某一个或两个中性区的长度小于（结的某一个或两个中性区的长度小于（该区的少子扩散长度该区的少子扩散长度）。）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性分布线性分布）。）。、小注入条件是指注入某区边界附近的（、小注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子非平衡少子）浓度远小于该区的（）浓度远小于该区的（平衡多平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（）浓度，因此该区总的多子浓度中的（非平衡非平衡）多子浓度可以忽略。）多子浓度可以忽略。、大注入条件是指注入某区边界附近的（、大注入条件是指注入某区边界附近的（非平非平衡少子衡少子）浓度远大于该区的（）浓度远大于该区的（平衡多平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（）浓度，因此该区总的多子浓度中的（平衡平衡）多子浓度可以忽略。）多子浓度可以忽略。、势垒电容反映的是、势垒电容反映的是结的（结的（微分微分）电荷随外加电压的变化率。）电荷随外加电压的变化率。结的掺杂浓度结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（越高，则势垒电容就越（大）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（小）。）。、扩散电容反映的是、扩散电容反映的是结的（结的（非平衡载流子非平衡载流子）电荷随外加电压的变化率。正向）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（电流越大，则扩散电容就越（大）；少子寿命越长，则扩散电容就越（）；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。）。【】、在、在结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（存储在（）区中的（）区中的（非平衡载流子非平衡载流子）电荷。）电荷。这个电荷的消失途径有两条，即（这个电荷的消失途径有两条，即（反向电流的抽取反向电流的抽取）和（）和（少子自身的复合少子自身的复合）。）。、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（降低少子寿命降低少子寿命）和（）和（加快反向复合）快反向复合）。（减薄轻掺杂区的厚度）（减薄轻掺杂区的厚度）、结的击穿有三种机理，它们分别是（结的击穿有三种机理，它们分别是（雪崩击穿雪崩击穿）、（）、（齐纳击穿齐纳击穿）和（）和（热击穿热击穿）。）。、结的掺杂浓度越高，雪崩结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压击穿电压越（越（小）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（小）。）。