简介：害的有机、无机环境污染物降解或者矿化为低毒性甚至无毒性的物质，降低对环境造成的污染。然而，以二氧化钛TIO2为代表的传统半导体氧化物光催化剂，因其本身能带结构局限，存在对光的响应范围较窄等问题，导致对太阳能的利用率较低，同时其本身还有稳定性较差等缺点，这些因素都限制了其在光催化领域的发展和应用。因此，如何实现光能的有效转换，寻找和制备具有宽光谱响应范围、高量子效率且易回收利用等优势的光催化材料是亟待研究者解决的关键科学性问题。目前，以石墨相氮化碳GC3N4为代表的非金属层状材料，其特殊的电子结构，使之展现出独特的性能，同时它还具备良好的热稳定

简介：符号率的多制式解调分析于一体的矢量信号测量系统。论文的主要研究内容包括1信号调理与采集电路设计。通过对硬件平台整体方案分析，论文完成了包括高精度量化采样、输入调理电路、GHZ级高稳采样时钟的电路设计。2矢量信号解调电路设计。主要包含高速ADC采样多路数据流的ISERDES解串接收设计，基于OSERDES技术实现FPGA器件间高速数据传输设计，以及解调算法单元的配置与控制。3大容量符号数据板载缓存与高速传输设计。根据系统捕获符号数据的长度及传输速率设计要求，完成了基于DDR3SDRAM的解调数据缓存逻辑设计；采用了PCIEXPRESS总

简介：材料的可控合成、先进的表征和机理研究“三位一体”相结合，用于廉价、高效、高稳定性的具有可见光响应能力的石墨相氮化碳GC3N4材料的设计和制备，以提高单体GC3N4在可见光照射下催化降解环境有机污染物的性能。同时，根据所制备的GC3N4材料的性能、结构、组成等之间的构效关系深入研究光催化性能增强机制。在本论文中，我们通过调控GC3N4的组成来提高其对可见光的吸收和光生电子空穴对的分离效率通过调节GC3N4的维度来提高光生电荷的分离和传输能力，以改善其光催化降解污染物的活性并通过调控GC3N4的光生电荷的迁移来实现光生载流子的生成，以提高其光催化降解污染

简介：上二阶补偿带隙基准作为ADC的参考电压源，该参考源在40125℃温度范围内温度系数为65PPM℃；同时设计了去“气泡”电路，避免由温度计码错误引起的编码错误。另外，设计了低功耗控制端，降低芯片在等待状态下的功耗。通过电路仿真，本设计的6位ADC在100MHZ下，其最大积分非线性和微分非线性分别为05LSB和±05LSB，无杂波动态范围（SFDR）为4024DB，信噪失真比（SNDR）为316DB，静态功耗为24MW，动态功耗为41MW，等待状态功耗为12MW。最后采用05ΜMCSMC双层多晶硅混合工艺进行了版图设计，版图芯片面积为1

简介：素更新方式，在信息素的局部更新规则和全局更新规则中增加了参数控制。然后为了进一步提高蚁群优化盲检测算法的全局搜索能力，提出混沌扰动启发式蚁群优化CHACO盲检测算法在改进蚁群优化算法的基础上，利用混沌映射的伪随机性、遍历性以及规律性等特点，在局部信息素和全局信息素更新时加入混沌扰动。最后给出遗传蚁群混合优化GAACO盲检测算法先利用遗传优化算法的随机性和全局收敛性求盲检测问题的解，将所得到的若干组优化解作为蚁群优化算法的路径信息素，再利用蚁群优化算法求盲检测问题的最优解。本文盲检测算法的构成思路借助接收数据阵补投影算子对待测发送序列向量

简介：技术掌握在我们自己手中，在今后商用中才能掌握主动。第三代移动通信系统在我国正处于普及的阶段，还面临着成本过高的挑战。FPGA技术也正处于高速发展的时期。用FPGA技术去实现信道编译码和扩频技术，可以有效的提高数据的处理速度，并且降低成本。因此用FPGA技术去研究和实现3G通信领域的某些特定功能就显得很有必要。本文设计所用到的主要软件平台是XILINX公司的FPGA开发环境ISE。硬件描述语言完成对系统的设计后，功能以及时序仿真会在MODDSIM里进行。对于相关技术要点的验证工作在MATLAB中的SIMULINK环境下进行建模仿真。本文设计所用到的

简介：随着频率的升高，砷化镓异质结双极型晶体管HBT自身寄生电容CCE、CBE、CBC等对器件性能的影响明显增加，使得HBT共发组态工作模式下的输出反射系数S22在某一频率点出现KINK效应。因此，采用HBT实现射频宽带功率放大器时，会给工作带宽需跨越KINK频率点的宽带输出匹配设计带来很多困难。本文首先介绍了射频功放领域关于这个课题的研究现状。然后详细介绍了HBTKINK效应及其对宽带匹配的影响，并根据员反馈原理，提出了一种新型HBT复合晶体管结构，通过理论分析，借助AWR软件仿真以及AWSC2ΜMINGAPGAASHBT工艺流片测试，结果表明该复合管的输出阻抗在01GHZTO20GHZ的频率范围内为一常数，HBT的KINK效应得到了消除。最后采用该新型HBT复合晶体管结构设计了一款可用于无线局域网WLAN的宽带功率放大器，在16～3GHZ频率范围内小信号增益大于30DB，输入输出反射系数均低于10DB，饱和功率输出达到34DBM以上，并将这款放大器与普通管设计的宽带放大器进行比较，证明了采用新型HBT复合晶体管作为有源器件可以很大程度上提高放大器的增益带宽积。

简介：点击查看更多一种基于RBF神经网络的命令集语音识别系统研究.pdf精彩内容。

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简介：随着电力电子技术的发展，各种变频电路、斩波电路的应用不断扩大，在这些电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用自关断能力的新型电力电子器件，都需要一个与之并联的快速恢复二极管。尤其是以IGBT、IGCT为代表的电力电子器件的广泛应用，对快速二极管又提出新的要求，即具有短的反向恢复时间TRR的同时还要具有软恢复特性。本文首先通过SILVACOTCAD软件仿真对不同基区浓度的二极管（非穿通型的快速二极管）进行仿真，发现不同基区浓度的二极管的反向耐压呈现不同的温度系数；并通过对大量的具有不同耐压的二极管进行试验，与仿真结构得到很好的一致；并从理论上分析了空间电荷效应对不同基区浓度的二极管耐压特性的影响。本文还通过对引入缓冲层的二极管进行仿真，发现缓冲层结构极大的改善了快恢复二极管的软度因子，并且通过仿真看出对改善二极管的高温耐压特性有很大的意义，缓冲层的引入同时使得二极管片厚减薄，因此正向导通特性也得到改善。本文还对实际生产工艺中的一些问题进行了研究，并且在生产中发现二极管的质量优劣分布和晶圆的电阻率的均匀性有很大的关系，并从理论上分析了出现这种现象的原因。

简介：对衬底驱动MOS管的工作原理、电器特性等进行系统分析。同时运用衬底驱动技术，基于TSMC025ΜM标准CMOS工艺，设计了工作在08V的轨至轨RAILTORAILCMOS运算放大器；运用衬底驱动技术，结合亚阈值技术和组合MOS管技术，分别基于CSMC06ΜMCMOS工艺、TSMC035ΜMCMOS工艺对传统的密勒运算跨导放大器MILLEROTA电路进行改进，使其分别工作在09V和06V的超低电压下。用HSPICE对所设计的运算放大器电路进行仿真，仿真结果表明由于采用了衬底驱动技术使得所设计的电路在超低电压下获得比较好的性能。论文最后